1月25日，從有關部門獲悉，省科技廳下發批復，同意科達集團組建山東省半導體工程技術研究中心，組建期三年。
        據了解，組建山東省半導體工程技術研究中心是我市大力發展高新技術產業的重要舉措，科達半導體項目自主研發了多種規格的IGBT、MOSFET、FRD等產品。目前，科達半導體公司有設施齊全的功率MOSFET、IGBT動靜態參數測試設備、可靠性試驗設備、芯片設計平臺等研發設施，是目前國內測試設施最全、最先進的功率半導體研發基地。 

        山東省半導體工程技術研究中心成立后，通過研發，每年可為企業提供3個以上的產業化的新產品項目，每年可為企業提供不低于5000萬元的新增效益，確保企業產品的市場競爭優勢，并可為社會其他企業提供產品設計方案和技術解決方案，年綜合經濟效益可達數億元。