日本大阪大學研究生院工學研究系材料生產科學專業教授藤原康文試制出了利用GaN系半導體的紅色LED組件。利用GaN系半導體的藍色LED組件及綠色LED組件現已達到實用水平，但試制出紅色LED組件“還是全球首次”。如果可與藍色LED組件及綠色LED組件一樣，利用GaN系半導體制造出紅色LED組件，便可在相同底板內實現RGB的3原色。這樣一來，估計將有助于實現像素尺寸較小且精細度較高的LED顯示器。

　　此次，通過在發光層上利用添加稀土類元素“銪（Eu）”的GaN，實現了紅色LED組件。此前也進行過向GaN添加Eu以獲得紅色光的研究，但原來采用離子注入法添加Eu，通過光致激發（Photoexcitation）獲得紅色光。而藤原的研究小組采用MOCVD法添加Eu，同時通過注入電流成功地獲得了紅色光。這是“全球首次”采用該方法獲得紅色激光。

 日大阪大學試制出GaN系半導體紅色LED組件

　　試制品在驅動電流為20mA，驅動電壓為6V時，光輸出功率為1.3μW。雖然光輸出功率尚小，但作為LED組件，如果進一步優化電極結構等，預計還可大幅提高光輸出功率。